氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)點(diǎn)

  氮化鋁陶瓷電路板，相信這個(gè)詞大家肯定不陌生了吧，作為目前導(dǎo)熱率高的電路板，一直受到業(yè)內(nèi)的持續(xù)關(guān)注，大家一定想知道，氮化鋁陶瓷基板到底有什么魔力，可以讓哪些制造商如此著迷，那么鈞杰陶瓷今天就來(lái)給大家做個(gè)對(duì)比。鈞杰陶瓷專(zhuān)業(yè)加工各類(lèi)特種陶瓷加工工廠(chǎng)，擁有先進(jìn)的加工設(shè)備，和擁有實(shí)力豐富的專(zhuān)業(yè)技術(shù)人員，我們主要以研發(fā)、加工、銷(xiāo)售為一體。重視人才、尊重人才，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量。鈞杰陶瓷加工廠(chǎng)：134 128 56568（微信）。

一、氮化鋁陶瓷電路板vs環(huán)氧樹(shù)脂電路板
1、導(dǎo)熱率：氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)電系數(shù)可以達(dá)到300W/(m·K)，環(huán)氧樹(shù)脂基板使用最多的就是FR-4，其平均導(dǎo)熱率在16.5 W/(m·K)，這還是因?yàn)殂~層導(dǎo)熱率高導(dǎo)致的。氮化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱率是環(huán)氧樹(shù)脂電路板的20倍左右。
2、熱膨脹系數(shù)：環(huán)氧樹(shù)脂基板的熱膨脹系數(shù)一般在14-17 ppm/C，氮化鋁陶瓷電路板的熱膨脹系數(shù)在4-5 ppm/C，這個(gè)熱膨脹系數(shù)非常接近硅芯片，硅的熱膨脹系數(shù)在6 ppm/C，與環(huán)氧樹(shù)脂電路板相差接近10 ppm/C，與氮化鋁陶瓷電路板只是相差2 ppm/C。當(dāng)電路板與芯片同時(shí)加熱，如果熱膨脹系數(shù)相差過(guò)大，會(huì)使焊點(diǎn)直接脫落。
 二、氮化鋁陶瓷電路板VS鋁基板
1、導(dǎo)熱率:鋁基板作為金屬基板的代表，用這個(gè)多對(duì)比是找不過(guò)了，鋁基板的導(dǎo)熱率一般在個(gè)位數(shù)，鋁基板是三層結(jié)構(gòu)，最上面銅箔層用于腐蝕電路，最下面是金屬基層，鋁基板的金屬基層就是鋁，中間層才是鋁基板的關(guān)鍵技術(shù)層，我們稱(chēng)之為高導(dǎo)熱絕緣層。如果光看外表，各種廠(chǎng)家生產(chǎn)的鋁基板都差不多，鋁基板最核心的性能是它的導(dǎo)熱性能，導(dǎo)熱性能在于中間的高導(dǎo)熱絕緣層。核心的絕緣層厚度多為70um到120um，它的熱阻幾乎等于鋁基板的整體熱阻。
2、熱膨脹系數(shù)：鋁基板的熱膨脹系數(shù)在13-18 ppm/C，其實(shí)與FR-4的熱膨脹系數(shù)相近，其穩(wěn)定性不言而喻。

 三、氮化鋁陶瓷電路板VS氧化鋁陶瓷電路板
 1、導(dǎo)熱率：同為陶瓷電路板，但是有很大的區(qū)別，氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱率差不多在45 W/(m·K)左右，氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱率接近其7倍。 
2、熱膨脹系數(shù)：氧化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱系數(shù)和氮化鋁陶瓷電路板基本相同。 
  導(dǎo)熱率和熱膨脹系數(shù)是最直接體現(xiàn)電路板性能的參數(shù)，相信大家已經(jīng)能夠比較直觀(guān)看出氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)勢(shì)，其實(shí)不光光是只是這兩點(diǎn)，氮化鋁陶瓷電路板可以將陶瓷電路板的易碎缺點(diǎn)降到最低，氮化鋁陶瓷電路板的硬度會(huì)比氧化鋁陶瓷電路板的硬度高很多。鈞杰陶瓷是一家專(zhuān)業(yè)加工氮化硅陶瓷的加工產(chǎn)家，擁有十多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)還擁有各項(xiàng)先進(jìn)的加工工藝設(shè)備，和實(shí)力豐厚的技術(shù)人員，來(lái)有效的進(jìn)行加工，并且還有效的保證產(chǎn)品的質(zhì)量問(wèn)題，我們公司的產(chǎn)品現(xiàn)在已經(jīng)被很多國(guó)內(nèi)國(guó)外的客戶(hù)所關(guān)注，以及被廣泛的融入到大規(guī)模市場(chǎng)中，這些年來(lái)的訂單也持續(xù)的真加，也受到很多客戶(hù)的好評(píng)和關(guān)注。